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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3177-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 |   | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.03 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
2SK3177-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3177-E
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAT |
23+ |
TO-220 |
20000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
1922+ |
TO-220F |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
PANASONIC/松下 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
reNESAS |
24+ |
60000 |
|||||
PANASONIC/松下 |
24+ |
TO-220F |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
PANASONIC |
24+ |
TO-220F |
36500 |
原装现货/放心购买 |
|||
PANASONIC/松下 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
|||
HITACHI |
23+ |
高频管SMD |
20 |
全新原装正品现货,支持订货 |
2SK3177-E规格书下载地址
2SK3177-E参数引脚图相关
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2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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