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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3157-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 50 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 |   | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 50 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 50 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.44 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
2SK3157-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3157-E
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
13276 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
HITACHI |
05+ |
TO-220 |
1308 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
HITACHI |
21+ |
TO-220 |
1308 |
原装现货假一赔十 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
220 |
7900 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
TOS |
TO-92S |
8553 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
R |
25+ |
TO-TO-220AB |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
60000 |
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2SK3157-E参数引脚图相关
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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