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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3156 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =50 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 |   | |
2SK3156 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =50 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
2SK3156 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.43 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =50 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | |
2SK3156产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3156
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
23+ |
220 |
7900 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
60000 |
|||||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
R |
22+ |
TO220AB |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
HITACHI |
23+ |
TO-220 |
1308 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
日立 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
Renesas |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
HITACHI/日立 |
24+ |
TO 220 |
158275 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
2SK3156规格书下载地址
2SK3156参数引脚图相关
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
DdatasheetPDF页码索引
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