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2SK3152_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-11-20 17:00:00
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    属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管(JFET) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 50mA 漏源电压(Vdss) 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散(Ta=25°C) 200mW

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