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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3142-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching * Low on-resistance RDS(on)= 4 mΩ typ. * Low drive current * 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 |   | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching * Low on-resistance RDS(on)= 4 mΩ typ. * Low drive current * 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching * Low on-resistance RDS(on)=4mΩ typ. * Low drive current * 4V gate drive device can be driven from 5V source | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.08 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
2SK3142-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3142-E
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ORIGINAL |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SANYO |
24+ |
60000 |
|||||
RENESAS |
25+ |
12 |
公司现货库存 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-252 |
300 |
全新原装正品支持含税 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-220F |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
日立 |
24+ |
TO-262/263 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
DPAK(L)-(2)TO-251 |
2047880 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
2SK3142-E规格书下载地址
2SK3142-E参数引脚图相关
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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