| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3135 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | |
2SK3135 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | | |
2SK3135 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | RENESAS 瑞萨 | | |
2SK3135 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source | RENESAS 瑞萨 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：326.69 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：373.69 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | |
2SK3135产品属性
- 类型
描述
- 可下载：
SPICE
- 封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
60
- ID (A)：
75
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
12
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7.5
- Ciss (pF) 典型值：
7100
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
100
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Surface Mount
- 订购条件：
Large order only
- QG (nC) 典型值：
125
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
TO-263 |
250 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
263 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
24+ |
60000 |
||||||
RENESAS |
26+ |
TO-263 |
360000 |
进口原装现货 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO-263 |
28000 |
原装正品，可来电咨询 |
|||
HIT |
24+ |
NA |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
RENESAS |
22+ |
TO-263 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
HIT/RENES |
25+ |
TO-252 |
45000 |
HIT/RENES全新现货2SK3135即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-263 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
2SK3135规格书下载地址
2SK3135参数引脚图相关
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- 5000
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- 3q1
- 3g汽车
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- 2SK3113
2SK3135数据表相关新闻
2SK303L-SOT113SR-V4-TG_UTC代理商
2SK303L-SOT113SR-V4-TG_UTC代理商
2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
DdatasheetPDF页码索引
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