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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SK2360

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORS

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK2360

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2359,2SK2359-Z/2SK2360,2SK2360-ZisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2359:RDS(on)=0.9Ω(VGS=10V,ID=4.0A) 2SK2360:RDS(on)=1.0Ω(VGS=10V,ID=4.0A) •LowCiss

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK2361

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance 2SK2361:RDS(on)=0.9ΩMAX.(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2362:RDS(on)=1.0ΩMAX.(VGS=10

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RENESAS
2SK2361

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2353/2SK2354isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2353:RDS(on)=1.4Ω(VGS=10V,ID=2.5A) 2SK2354:RDS(on)=1.5Ω(VGS=10V,ID=2.5A) •LowCissCiss=670pFTY

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK2362

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2353/2SK2354isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2353:RDS(on)=1.4Ω(VGS=10V,ID=2.5A) 2SK2354:RDS(on)=1.5Ω(VGS=10V,ID=2.5A) •LowCissCiss=670pFTY

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NEC
2SK2363

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE

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RENESAS
2SK2363

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2363/2SK2364isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2363:RDS(on)=0.5Ω(VGS=10V,ID=4.0A) 2SK2364:RDS(on)=0.6Ω(VGS=10V,ID=4.0A) •LowCissCiss=1600pFTYP.

NECRenesas Electronics America

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2SK2364

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE

RENESASRenesas Electronics America

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RENESAS
2SK2364

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2363/2SK2364isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2363:RDS(on)=0.5Ω(VGS=10V,ID=4.0A) 2SK2364:RDS(on)=0.6Ω(VGS=10V,ID=4.0A) •LowCissCiss=1600pFTYP.

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK2365

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2365,2SK2365-Z/2SK2366,2SK2366-ZisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2365:RDS(on)=0.5Ω(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2366:RDS(on)=0.6Ω(VGS=10V,ID=5.0A) •LowCiss

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NEC
2SK2365

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORS

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE

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2SK2366

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORS

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE

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2SK2366

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2365,2SK2365-Z/2SK2366,2SK2366-ZisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2365:RDS(on)=0.5Ω(VGS=10V,ID=5.0A) 2SK2366:RDS(on)=0.6Ω(VGS=10V,ID=5.0A) •LowCiss

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK2367

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2367/2SK2368isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2367:RDS(on)=0.5Ω(VGS=10V,ID=8.0A) 2SK2368:RDS(on)=0.6Ω(VGS=10V,ID=8.0A) •LowCissCiss=1600pFTYP

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK2367

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET

RENESASRenesas Electronics America

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RENESAS
2SK2368

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2367/2SK2368isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2367:RDS(on)=0.5Ω(VGS=10V,ID=8.0A) 2SK2368:RDS(on)=0.6Ω(VGS=10V,ID=8.0A) •LowCissCiss=1600pFTYP

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK2369

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance 2SK2369:RDS(on)=0.35ΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) 2SK2370:RDS(on)=0.4ΩMAX.(VGS=10

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK2369

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK2353/2SK2354isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighvoltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-Resistance 2SK2353:RDS(on)=1.4Ω(VGS=10V,ID=2.5A) 2SK2354:RDS(on)=1.5Ω(VGS=10V,ID=2.5A) •LowCissCiss=670pFTY

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SK2363

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：323.39 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK2364

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：323.6 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK2365

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：400.46 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK2366

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：400.46 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SK236产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK236

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

2SK236供应商更多...

更新时间：2024-6-16 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳兆威电子有限公司
2SK2360
VB
2019
TO-263
55000
绝对原装正品假一罚十!
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SK2360-ZK-E1
NEC
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TO-263
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深圳市汇莱威科技有限公司
2SK2361
NEC
TO-3P
265209
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2SK2361
NEC
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TO3P
50000
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2SK2361
NEC
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TO-3P
100500
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SK2360
NEC
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35400
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深圳市一线半导体有限公司
2SK2360
NEC
08PB
60000
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深圳市芯祺盛科技有限公司
2SK2361
NEC
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TO3P
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2SK2360-Z
NEC
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TO-251252
31518
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2SK2361
NEC
24+
TO3P
58000
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    2021-6-24

  • 2SK2415-Z-E1-AZ找代理商上深圳百域芯科技

    2SK2415-Z-E1-AZ找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK2415-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK2415-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: Obsolete IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PackageDescriptio

    2021-6-24

  • 2SK1485-T1

    2SK1485-T1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-9-12

  • 2SK2698

    2SK2698，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-11-14

  • 2SK1985

    2SK1985，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-10-30

  • 2SK1985-01MR

    2SK1985-01MR，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-10-30

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