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N-channelMOS-FET

600V0,75W12A125W >Features -HighSpeedSwitching -LowOn-Resistance -NoSecondaryBreakdown -LowDrivingPower -HighVoltage -VGS=±30VGuarantee -AvalancheProof

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:289.07 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-22 12:30:00
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