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2SK135	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK135	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 160V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRITION ·Switching power supplies ·Switching converters,motor driver,relay driver	ISC 无锡固电	ISC
2SK135	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK135	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：827.18 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1350	2SK1350 2SK1350	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SK1351	2SK1351 2SK1351	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SK1352	2SK1352 2SK1352	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SK1357	2SK1357 2SK1348	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SK1358	FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Diver) Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS II.5) High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Features • Low Drain-Source ON Resistance - RDS(ON) = 1.1Ω (Typ.) • High Forward Transfer Admittance - Yfs = 4.0S (Typ.) • Low Leakage	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1358	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SK1359	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
2SK1359	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) DC−DC Converter and Motor Drive Applications ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 2.0 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V) ● Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1359	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1350	Fast Switching Speed 文件：62.2 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1350	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.90561 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1351	Drain Current ?밒D=5A@ TC=25C 文件：62.21 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1351	2SK1351
2SK1352	2SK1352
2SK1352	Fast Switching Speed 文件：62.2 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1356	Drain Current ?밒D=3A@ TC=25C 文件：62.2 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1356	2SK1356 文件：37.82 Kbytes Page：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SK1357	Drain Current ?밒D= 5A@ TC=25C 文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1358	Fast Switching Speed 文件：67.88 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1359	DC−DC Converter and Motor Drive Applications 文件：415.39 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1359	Silicon N Channel MOS Type (짰#8722;MOSII.5) DC−DC Converter and Motor Drive Applications 文件：806.62 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1359	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：829.57 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1359_06	Silicon N Channel MOS Type (짰#8722;MOSII.5) DC−DC Converter and Motor Drive Applications 文件：806.62 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK1359_09	DC−DC Converter and Motor Drive Applications 文件：415.39 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

2SK135产品属性

类型
描述
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
150000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
900V
Maximum Continuous Drain Current：
9A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更新时间：2026-8-1 19:38:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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