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2SK1099

N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

[Fuji] Features ● High speed switching ● Low on-resistance ● No secondary breakdown ● Low driving power ● High voltage Applications ● Switching regulators ● UPS ● DC-DC converters ● General purpose power amplifier

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2SK1099

Drain Current ?밒D=10A@ TC=25C

DESCRIPTION • Drain Current –ID=10A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) APPLICATIONS • Designed for high voltage, high speed power switching

ISC

无锡固电

2SK1099

N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-25 20:00:00
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