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2SK1010

Drain Current ?밒D=6A@ TC=25C

DESCRIPTION ·Drain Current –ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching

ISC

无锡固电

2SK1010

N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

* High speed switching* Low on-resistance* No secondary breakdown* Low driving power* High voltage

FUJI

富士通

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更新时间:2026-5-24 17:06:00
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