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2SJ661-1E

P-Channel Power MOSFET

Features • ON-resistance RDS(on)1=29.5mΩ(typ.) • Input capacitance Ciss=4360pF (typ.) • 4V drive

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-3-11 23:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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