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High-Power Amplifier Applications

High-Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VDSS = −180 V • Complementary to 2SK3497

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SJ618(F)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ618(F)

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 180V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET,Pch,180V/10A,0.37ohm(7V),TO-3P(N)

更新时间:2026-3-11 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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