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2SJ540

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ540

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SJ540

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ540

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:109.56 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ540产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装类型:

    TO-220AB

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -12

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    230

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    150

  • Ciss (pF) 典型值:

    580

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    50

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

更新时间:2026-5-25 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HIT
24+
NA
4000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
HIT
24+
TO-220AB
20000
RENESAS/瑞萨
25+
TO-220
90000
全新原装现货
RENESAS
23+
TO-220
18592
全新 发货1-2天

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