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NPNTRIPLEDIFFUSEDMESATYPESILICONTRANSISTORFORH-DEFLECTIONOUTPUT

NPNTripleDiffusedMesaTypeSiliconTransistor ForH-DeflectionOutput(WithDamperDiode)

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •HighBreakdownVoltage-:VCBO=1500V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=10V(Max.)@IC=2.5A •Built-inDamperDiode APPLICATIONS •Designedforhorizontaldeflectionoutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-18 8:48:01
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