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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@IC= 4A • Complement to Type 2SB869 APPLICATIONS • Designed for power switching applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 20:00:01
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