型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications.

ISC

无锡固电

2SD860Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD860Q

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB

更新时间:2025-11-21 10:21:02
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