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DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min)
• High Collector Power Dissipation
APPLICATIONS
• Designed for AF power amplifier applications.
2SD860产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD860
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
Silicon NPN Power Transistor
更新时间：2025-10-13 17:23:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MATSUSHITA |
25+ |
TO-220 |
45000 |
MATSUSHITA全新现货2SD860即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
MAT |
17+ |
TO-220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
||||
MAT |
23+ |
TO-220 |
13880 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
PANASONIC |
25+ |
TO-TO-220 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
FSC |
25+ |
TO92 |
130 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
SAN |
24+ |
原厂封装 |
3500 |
原装现货假一罚十 |
|||
HGF |
23+ |
TO-92L |
7600 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ST(先科) |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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