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isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 160V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 125W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SB656 APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 16:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3
10000
全新
23+
TO-3
8000
只做原装现货
23+
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FUJITSU/富士通
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FUJITSU/富士通
23+
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FUJITSU/富士通
24+
TO-3
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明嘉莱只做原装正品现货
PANASONIC/松下
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6000
十年配单,只做原装
TOSHIBA
24+
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HITACHI/日立
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HITACHI/日立
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