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2SD669A-B-BP

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 160V 1.5A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCC

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A(PNP)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

NPN Epitaxial Planar Transistors

NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free

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BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A

UTC

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Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 180 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

东电电子

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SB649/649A(PNP) ·High breakdown voltage VCEO:120/160V ·High current 1.5A ·Low saturation voltage,excellent hFElinearity APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications

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更新时间:2025-9-28 17:15:00
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