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SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR

○ Power Amplifier Applications ​​​​​​​ • Complementary to 2SD428 • Recommended for 40W High-Fiderity Audio Frequency Amplifer Output Stage.

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 60W(Max)@TC=25℃ • Complement to Type 2SB558 APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. • Recommended for 40W high-fidelity audio frequency amplifier output stage.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 11:38:01
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