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精确

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厂家型号	2SD428
文件大小	223.62Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc Silicon NPN Power Transistors SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TRANSISTOR
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min)

• High Power Dissipation- : PC= 60W(Max)@TC=25℃

• Complement to Type 2SB558

APPLICATIONS

• Designed for power amplifier applications.

• Recommended for 40W high-fidelity audio frequency amplifier output stage.

2SD428供应商...

更新时间：2026-1-27 14:14:00

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