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Low-Frequency Power Amp, Electronic Governor Applications

Low-Frequency Power Amp, Electronic Governor Applications

SANYO

三洋

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 25V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 0.3 V(Max) @IC=0.5A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications.

ISC

无锡固电

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

文件:4.07488 Mbytes Page:3 Pages

JIANGSU

长电科技

Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package

文件:1.08391 Mbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-12-29 19:26:01
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