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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHINGNOPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=0.15VMax(@lC/lB=1.0A/50mA) •HighDCCurrentGain hEF=150to600(@VCE=2.0V,lC=1.0A) | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | TEL TRANSYS Electronics Limited |  | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=5A •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.15V(Max)@IC=1A,IB=50mA •HighDCCurrentGain- :hFE=150~600@IC=1A APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencyamplifierandswitchingapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
TO-126Plastic-EncapsulateTransistors Features LowVce HighDCCurrentGain | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 |  | | |
SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highDCcurrentgain. Applications Audiofrequencyamplifierandswitchingapplications. | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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