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Medium Power Transistor (25V, 1.2A)

Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA)

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-29 19:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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