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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0 (Max)@ IC= 2.5A · High Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25℃ APPLICATIONS · Designed for power amplifier applications

ISC

无锡固电

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

文件:1.12924 Mbytes Page:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-12-29 20:00:01
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