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Power Transistor (160V , 1.5A)

ROHM

罗姆

Power Transistor

Features High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) High transition frequency.(fT = 80MHZ)

KEXIN

科信电子

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件:478.39 Kbytes Page:3 Pages

PJSEMI

平晶半导体

更新时间:2025-12-29 18:13:01
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