| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics | SECOS 喜可士 |   | ||
Low VCE(sat) Transistor Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. | KEXIN 科信电子 | | ||
Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
Plastic-Encapsulated Transistors 文件：106.88 Kbytes Page：2 Pages | TEL | |
更新时间：2025-12-25 8:02:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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