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2SD2118晶体管资料
2SD2118(F5)别名:2SD2118(F5)三极管、2SD2118(F5)晶体管、2SD2118(F5)晶体三极管
2SD2118(F5)生产厂家:
2SD2118(F5)制作材料:Si-NPN
2SD2118(F5)性质:低频或音频放大 (LF)
2SD2118(F5)封装形式:直插封装
2SD2118(F5)极限工作电压:50V
2SD2118(F5)最大电流允许值:5A
2SD2118(F5)最大工作频率:150MHZ
2SD2118(F5)引脚数:3
2SD2118(F5)最大耗散功率:1W
2SD2118(F5)放大倍数:
2SD2118(F5)图片代号:A-80
2SD2118(F5)vtest:50
2SD2118(F5)htest:150000000
- 2SD2118(F5)atest:5
2SD2118(F5)wtest:1
2SD2118(F5)代换 2SD2118(F5)用什么型号代替:2SC3072,2SC3074,2SD1803,2SD1805,
2SD2118价格
参考价格:¥1.1271
型号:2SD2118-TLR 品牌:Rohm Semiconductor 备注:这里有2SD2118多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SD2118批发/采购报价,2SD2118行情走势销售排行榜,2SD2118报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SD2118 | Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 | ||
2SD2118 | Low VCE(sat) Transistor Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor. | KEXIN 科信电子 | ||
2SD2118 | NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics | SECOS 喜可士 | ||
2SD2118 | Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers | ISC 无锡固电 | ||
2SD2118 | Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers | ISC 无锡固电 | ||
2SD2118 | TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件:558.38 Kbytes Page:2 Pages | JIANGSU 长电科技 | ||
2SD2118 | 20V,5A,Medium Power NPN Bipolar Transistor | GALAXYCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司 | ||
2SD2118 | 晶体管 | JSCJ 长晶科技 | ||
2SD2118 | Low VCE(sat) Transistor | ROHM 罗姆 | ||
2SD2118 | TRANSISTOR (NPN) 文件:130.24 Kbytes Page:2 Pages | WINNERJOIN 永而佳 | ||
2SD2118 | Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. 文件:1.16642 Mbytes Page:6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | ||
2SD2118 | Plastic-Encapsulated Transistors 文件:106.88 Kbytes Page:2 Pages | TEL 东电电子 | ||
2SD2118 | Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件:109.28 Kbytes Page:5 Pages | ROHM 罗姆 | ||
2SD2118 | Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件:185.03 Kbytes Page:4 Pages | ROHM 罗姆 | ||
2SD2118 | isc Silicon NPN Power Transistor 文件:330.68 Kbytes Page:3 Pages | ISC 无锡固电 | ||
Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers | ISC 无锡固电 | |||
Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers | ISC 无锡固电 | |||
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 | |||
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 | |||
Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件:185.03 Kbytes Page:4 Pages | ROHM 罗姆 | |||
5A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件:76.59 Kbytes Page:1 Pages | SECOS 喜可士 | |||
NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件:76.59 Kbytes Page:1 Pages | SECOS 喜可士 | |||
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 20V 5A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ROHM 罗姆 | |||
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 20V 5A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ROHM 罗姆 |
2SD2118产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2118
- 制造商
KEXIN
- 制造商全称
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
- 功能描述
Low VCE(sat) Transistor
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ROHM |
24+/25+ |
2500 |
原装正品现货库存价优 |
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罗姆原装 |
14+ |
TO-252 |
8080 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
TO-252 |
32000 |
ROHM/罗姆全新特价2SD2118TLR即刻询购立享优惠#长期有货 |
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CJ/长电 |
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TO252 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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ROHM |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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ROHM |
23+24 |
TO-252 |
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优势渠道商.原装原标原盘.提供BOM一站式配单 |
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长电 |
2024 |
TO-252 |
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16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
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CJ/长电 |
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30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
2SD2118规格书下载地址
2SD2118参数引脚图相关
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