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2SD2118晶体管资料

  • 2SD2118(F5)别名：2SD2118(F5)三极管、2SD2118(F5)晶体管、2SD2118(F5)晶体三极管

  • 2SD2118(F5)生产厂家：

  • 2SD2118(F5)制作材料：Si-NPN

  • 2SD2118(F5)性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SD2118(F5)封装形式：直插封装

  • 2SD2118(F5)极限工作电压：50V

  • 2SD2118(F5)最大电流允许值：5A

  • 2SD2118(F5)最大工作频率：150MHZ

  • 2SD2118(F5)引脚数：3

  • 2SD2118(F5)最大耗散功率：1W

  • 2SD2118(F5)放大倍数：

  • 2SD2118(F5)图片代号：A-80

  • 2SD2118(F5)vtest：50

  • 2SD2118(F5)htest：150000000

  • 2SD2118(F5)atest：5

  • 2SD2118(F5)wtest：1

  • 2SD2118(F5)代换 2SD2118(F5)用什么型号代替：2SC3072,2SC3074,2SD1803,2SD1805,

2SD2118价格

参考价格：￥1.1271

型号：2SD2118-TLR 品牌：Rohm Semiconductor 备注：这里有2SD2118多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2118批发/采购报价，2SD2118行情走势销售排行榜，2SD2118报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2118

丝印代码：D2118；Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

2SD2118

Low VCE(sat) Transistor

Features Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor.

KEXIN

科信电子

2SD2118

NPN Silicon General Purpose Transistor

FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.25V(Typ.) (IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics

SECOS

喜可士

2SD2118

Silicon NPN Power Transistor

FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers

ISC

无锡固电

2SD2118

Silicon NPN Power Transistor

FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers

ISC

无锡固电

2SD2118

Low VCE(sat) Transistor

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 Low VCE(sat)晶体管;

ROHM

罗姆

2SD2118

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

文件：558.38 Kbytes Page：2 Pages

JIANGSU

长电科技

2SD2118

20V,5A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

GALAXY

银河微电

2SD2118

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SD2118

TRANSISTOR (NPN)

文件：130.24 Kbytes Page：2 Pages

WINNERJOIN

永而佳

2SD2118

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.

文件：1.16642 Mbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SD2118

Plastic-Encapsulated Transistors

文件：106.88 Kbytes Page：2 Pages

TEL

2SD2118

丝印代码：D2118；Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages

ROHM

罗姆

2SD2118

丝印代码：D2118；Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SD2118

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：330.68 Kbytes Page：3 Pages

ISC

无锡固电

2SD2118-251

Silicon NPN Power Transistor

FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers

ISC

无锡固电

2SD2118-252

Silicon NPN Power Transistor

FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers

ISC

无锡固电

2SD2118TLQ

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

2SD2118TLR

Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

2SD2118_09

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

2SD2118_11

5A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：76.59 Kbytes Page：1 Pages

SECOS

喜可士

2SD2118_15

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：76.59 Kbytes Page：1 Pages

SECOS

喜可士

2SD2118TLQ

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 20V 5A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2118TLR

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 20V 5A CPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2118产品属性

  • 类型

    描述

  • Status：

    新设计非推荐

  • 封装：

    CPT3

  • 包装数量：

    2500

  • 最小独立包装数量：

    2500

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package：

    SC-63

  • Package Size[mm]：

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]：

    1

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    20.0

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    5.0

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

2SD2118供应商更多...

更新时间：2026-7-22 22:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SD2118TLR
ROHM/罗姆
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