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High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-28 12:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
24+
SOT-23
18560
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款
ROHM
24+
SOT23
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ROHM/罗姆
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Rohm(罗姆)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ROHM
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