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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor | ROHM 罗姆 |   | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistor NPN Plastic-Encapsulate Transistor P/b Lead(Pb)-Free | WEITRON | | ||
NPN Silicon Epitaxial Planar Tra nsistor Description The 2SD2098 is an epitaxial planar type NPN silicon transistor. Features * Excellent DC Current Gain Characteristics * Low Saturation Voltage, Typically VCE(SAT)=0.25V At IC/IB=4A/0.1A | SECOS 喜可士 | | ||
Excellent DC current gain characteristics Complements the 2SB1386 FEATURES Excellent DC current gain characteristics Complements the 2SB1386 | HTSEMI 金誉半导体 | | ||
Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages | ROHM 罗姆 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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