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位置：首页 > IC中文资料第804页 > 2SD186

2SD186晶体管资料

  • 2SD186别名：2SD186三极管、2SD186晶体管、2SD186晶体三极管

  • 2SD186生产厂家：日本三洋公司

  • 2SD186制作材料：Ge-NPN

  • 2SD186性质：低频或音频放大 （LF）

  • 2SD186封装形式：直插封装

  • 2SD186极限工作电压：25V

  • 2SD186最大电流允许值：0.15A

  • 2SD186最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD186引脚数：3

  • 2SD186最大耗散功率：0.2W

  • 2SD186放大倍数：

  • 2SD186图片代号：C-47

  • 2SD186vtest：25

  • 2SD186htest：999900

  • 2SD186atest：0.15

  • 2SD186wtest：0.2

  • 2SD186代换 2SD186用什么型号代替：AC127,AC176,AC187,2N1302,2SD30,2SD72,3BX81B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD186

2SD186

文件：25.15 Kbytes Page：1 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
2SD1861

Power transistor (40V, 2A)

Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SB1183 / 2SB1239.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1861

Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistors

[ROHM] Features 1) Darlington connection provises high DC current gain (hFE). 2) Built-in resistance of approx. 4kΩ between its base and emitter. Excellent temprature stability.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SD1862

Medium Power Transistor (32V, 2A)

FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1862

Medium Power Transistor (32V, 2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1862

Medium power transistor (32V, 2A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)= 0.5V (Typ.)(IC/IB= 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 / 2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1863

Power Transistor (80V, 1A)

● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1864

Power Transistor 50V, 3A

Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1864

Power Transistor (50V, 3A)

Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1864

Power Transistor (50V, 3A)

Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1864

Power Transistor (50V, 3A)

Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1866

Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60짹10V, 2A)

Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1866TV2

Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A)

Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode.

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse
2SD1866TV2

Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60??0V, 2A)

Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to L loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SD1867

Power Transistor (100V, 2A)

Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1867

Power Transistor (100V , 2A)

Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1580 / 2SB1316.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1867

Transistors

Power Transistor (+/- 100V/ +/- 2A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1868

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency high voltage amplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SD1868

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency high voltage amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
2SD1869

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency high voltage amplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Hitachi
2SD1869

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency high voltage amplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SD1862

Medium power transistor (32V, 2A)

文件：157.31 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1862

Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package

文件：839.22 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SD1862

Medium power transistor (32V, 2A)

文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1862TV2Q

封装/外壳：3-SIP 包装：散装 描述：TRANS NPN 32V 2A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SD1862TV2R

封装/外壳：3-SIP 包装：散装 描述：TRANS NPN 32V 2A ATV 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SD1863

Power Transistor (80V, 1A)

文件：177.89 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1863

Power Transistor (80V, 1A)

文件：120.9 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1863

Power Transistor (80V, 1A)

文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1864

Power Transistor (50V, 3A)

文件：176.72 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD1864

Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package

文件：953.41 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SD1866

Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60짹10V, 2A)

文件：171.97 Kbytes Page：4 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD186产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD186

  • 制造商

    Distributed By MCM

  • 功能描述

    SUB ONLY TRANSISTOR ATV50V .5A .6W ECB

2SD186供应商更多...

更新时间：2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SD1867TV2
ROHM/罗姆
24+
NA/
8250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市凌旭科技有限公司
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上海意淼电子科技有限公司
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只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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2SD1861
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60000
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标准国际(香港)有限公司
2SD1864
2SD1864
699
699
询价

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