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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING

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Panasonic

松下

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= 0.5V(Max.)@ IC= 7A ·Complement to Type 2SB1155 APPLICATIONS ·Designed for power switching applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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