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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 2A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V (Min) • Good Linearity of hFE APPLICATIONS • Designed for power switching applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-25 11:56:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAT
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PANASON/松下
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