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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
2SD1476	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 2A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V (Min) • Good Linearity of hFE APPLICATIONS • Designed for power switching applications.	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-11-6 17:34:00

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