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SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)

MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE APPLICATIONS SWITCHING APPLICATIONS. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: • High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) (VCE=2V, IC=1A) • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) (IC=1A, IB=1mA)

TOSHIBA

东芝

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 80V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC=1A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-26 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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