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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
2SD1438	SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) MICROMOTORDRIVE,HAMMERDRIVEAPPLICATIONS SWITCHINGAPPLICATIONS. POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES: •HighDCCurrentGain:hFE=2000(Min.)(VCE=2V,IC=1A) •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max.)(IC=1A,IB=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SD1438	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=80V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2024-4-26 18:27:00

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