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2SD130晶体管资料

  • 2SD130别名：2SD130三极管、2SD130晶体管、2SD130晶体三极管

  • 2SD130生产厂家：日本东芝公司

  • 2SD130制作材料：Si-NPN

  • 2SD130性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2SD130封装形式：直插封装

  • 2SD130极限工作电压：60V

  • 2SD130最大电流允许值：3A

  • 2SD130最大工作频率：1MHZ

  • 2SD130引脚数：2

  • 2SD130最大耗散功率：25W

  • 2SD130放大倍数：

  • 2SD130图片代号：E-8

  • 2SD130vtest：60

  • 2SD130htest：1000000

  • 2SD130atest：3

  • 2SD130wtest：25

  • 2SD130代换 2SD130用什么型号代替：BD241A,BD243A,BD535,BD577,BD587,BD935,2N4232,2N4233,3DD61D,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD130

Silicon NPN Power Transistor

文件：250.94 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1301

SI NPN TRIPLE DIFFUSED MESA

Horizontal Deflection Output for Small Color TV Set

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD1302

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)

Features . Low collector-emiiter saturation voltage Vce(sat) . Low ON resistance Ron . High forward current transfer ratio hfe

PANASONIC

松下

2SD1303

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio muting application. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. Features ● High emitter-base voltage VEBO=7.5V(min)* ● High reverse hFE reverse hFE=20(min) (VCE=2V, IC=4mA) ● Low on resistan

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

2SD1304

Si NPN Epitaxial Planar

2SD1291 Si NPN Triple Diffused Mesa Horizontal Deflection Output for Color TV Set Features ● Built-in damper diode on chip ● High voltage and high reliability by glass passivation. ● Wide area of safe operation (ASO) 2SD1304 Si NPN Epitaxila Planar AF Amplifier Feature ● Built-in zener

PANASONIC

松下

2SD1304Q

Si NPN Epitaxial Planar

2SD1291 Si NPN Triple Diffused Mesa Horizontal Deflection Output for Color TV Set Features ● Built-in damper diode on chip ● High voltage and high reliability by glass passivation. ● Wide area of safe operation (ASO) 2SD1304 Si NPN Epitaxila Planar AF Amplifier Feature ● Built-in zener

PANASONIC

松下

2SD1304R

Si NPN Epitaxial Planar

2SD1291 Si NPN Triple Diffused Mesa Horizontal Deflection Output for Color TV Set Features ● Built-in damper diode on chip ● High voltage and high reliability by glass passivation. ● Wide area of safe operation (ASO) 2SD1304 Si NPN Epitaxila Planar AF Amplifier Feature ● Built-in zener

PANASONIC

松下

2SD1304S

Si NPN Epitaxial Planar

2SD1291 Si NPN Triple Diffused Mesa Horizontal Deflection Output for Color TV Set Features ● Built-in damper diode on chip ● High voltage and high reliability by glass passivation. ● Wide area of safe operation (ASO) 2SD1304 Si NPN Epitaxila Planar AF Amplifier Feature ● Built-in zener

PANASONIC

松下

2SD1306

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency amplifier, Muting

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1306

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency amplifier, Muting

RENESAS

瑞萨

2SD1306

Small Signal Bipolar Transistors

Support is limited to customers who have already adopted these products.

RENESAS

瑞萨

2SD1306

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) Application ● Low frequency amplifier, Muting

JIANGSU

长电科技

2SD1306

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

ApplicationLow frequency amplifier, Muting

DGNJDZ

南晶电子

2SD1306NDTL-E

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency amplifier, Muting

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-E

Silicon NPN Epitaxial

Application Low frequency amplifier, Muting

RENESAS

瑞萨

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION 1. With TO-220 package 2. Low collector saturation voltage 3. DARLINGTON 4. Complement to type 2SB974

SAVANTIC

2SD1309

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC Current Gain :hFE= 2000(Min) @ IC= 3A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- :VCEO(SUS)= 100V (Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- :VCE(sat)= 1.5V (Max) @ IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for audio frequency amplifier and low-speed switching industrial use.

ISC

无锡固电

2SD1309

NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR

Audio Frequency Amplifier and Low Speed Switching Industrial Use

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD1300

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：263.1 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1301

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：266.13 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1302

Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92-B1

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2SD13020RA

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 20V 0.5A TO92-B1 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PANASONIC

松下

2SD1303

小信号晶体管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2SD1306

Silicon NPN Epitaxial

文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306_11

Silicon NPN Epitaxial

文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306_15

Silicon NPN Epitaxial

文件：152.36 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NDTL-E

Silicon NPN Epitaxial

文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NDTL-H

Silicon NPN Epitaxial

文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-E

Silicon NPN Epitaxial

文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1306NETL-H

Silicon NPN Epitaxial

文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages

RENESAS

瑞萨

2SD1307

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：256.51 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

文件：105.57 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SD1308

Silicon NPN Power Transistors

文件：65.18 Kbytes Page：3 Pages

ISC

无锡固电

2SD1308

NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER AND LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE

文件：68.74 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD130-R

SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

文件：95.72 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD130-Y

SILICON NPN DIFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

文件：95.72 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD130产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration：

    Single

  • Material：

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage：

    25V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：

    0.4@20mA@0.5AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage：

    20V

  • Maximum DC Collector Current：

    0.5A

  • Maximum Emitter Base Voltage：

    12V

  • Maximum Operating Temperature：

    150°C

  • Maximum Power Dissipation：

    600mW

  • Maximum Transition Frequency：

    200(Typ)MHz

  • Type：

    NPN

2SD130供应商更多...

更新时间：2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SD1308
NEC
25+
TO-220F
45000
NEC全新现货2SD1308即刻询购立享优惠#长期有排单订
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深圳市联世界科技有限公司
2SD1306NETL
HITACHI
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2SD1306NETR-EQ
RENESAS
26+
SOT23
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深圳市振宏微科技有限公司
2SD1306NE07TL
SOT-23
23+
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2SD1306NE07TL
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SOT-23
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2SD1306NETL
HITACHI
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SOT23-3
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深圳市正纳电子有限公司
2SD1306NETL-EQ
Renesas(瑞萨)
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
2SD1308
NEC
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深圳市华斯顿科技有限公司
2SD1306NE
HIT
25+23+
SOT23
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深圳市坤融电子科技有限公司
2SD1306
PANASONIC/松下
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SOT-23
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