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2SD1306晶体管资料

2SD1306别名：2SD1306三极管、2SD1306晶体管、2SD1306晶体三极管
2SD1306生产厂家：日本日立公司
2SD1306制作材料：Si-NPN
2SD1306性质：表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
2SD1306封装形式：贴片封装
2SD1306极限工作电压：30V
2SD1306最大电流允许值：0.7A
2SD1306最大工作频率：250MHZ
2SD1306引脚数：3
2SD1306最大耗散功率：
2SD1306放大倍数：
2SD1306图片代号：H-15
2SD1306vtest：30
2SD1306htest：250000000
2SD1306atest：0.7
2SD1306wtest：0

2SD1306代换 2SD1306用什么型号代替：BCW65,BCW66,2SC3265,2SD1048,2SD1328,2SD1757K,3DG84B,

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1306	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier, Muting	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1306	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier, Muting	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors ApplicationLow frequency amplifier, Muting	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD1306	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) Application ● Low frequency amplifier, Muting	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1306	Silicon NPN Epitaxial 文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306	晶体三极管	ZOCA 卓凯半导体	ZOCA
2SD1306	NPN小信号三极管	CHINABASE 创基电子	CHINABASE
2SD1306	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD1306NDTL-E	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier, Muting	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306NETL-E	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier, Muting	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306_11	Silicon NPN Epitaxial 文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306_15	Silicon NPN Epitaxial 文件：152.36 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306NDTL-E	Silicon NPN Epitaxial 文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306NDTL-H	Silicon NPN Epitaxial 文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306NETL-E	Silicon NPN Epitaxial 文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1306NETL-H	Silicon NPN Epitaxial 文件：109.08 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

2SD1306产品属性

类型
描述
PCM(W)：
0.15
IC(A)：
0.7
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
15
VEBO(V)：
5
hFEMin：
250
hFEMax：
800
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
SOT-23

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更新时间：2026-5-14 20:00:00

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