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2SD1252晶体管资料

2SD1252别名：2SD1252三极管、2SD1252晶体管、2SD1252晶体三极管
2SD1252生产厂家：日本松下公司
2SD1252制作材料：Si-NPN
2SD1252性质：低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
2SD1252封装形式：直插封装
2SD1252极限工作电压：60V
2SD1252最大电流允许值：3A
2SD1252最大工作频率：30MHZ
2SD1252引脚数：3
2SD1252最大耗散功率：30W
2SD1252放大倍数：
2SD1252图片代号：B-62
2SD1252vtest：60
2SD1252htest：30000000
2SD1252atest：3
2SD1252wtest：30

2SD1252代换 2SD1252用什么型号代替：BD241A,BD535,BD935,2SD1035,2SD1902,2SD1903,2SD1972,3DD160B,

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1252	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) For power amplification Complementary to 2SB0929 (2SB929)and 2SB0929A(2SB929A) ■Features ● High forward current transfer ratio hFEwhich has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1252	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) For power amplification Complementary to 2SD1252 and 2SD1252A ■Features ● High forward current transfer ratio hFEwhich has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed c	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1252	Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type Features ● Power transistors.	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter	ISC 无锡固电	ISC
2SD1252	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter	ISC 无锡固电	ISC
2SD1252-251	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter	ISC 无锡固电	ISC
2SD1252-252	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter	ISC 无锡固电	ISC
2SD1252A	Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type Features ● Power transistors.	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252A	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) For power amplification Complementary to 2SD1252 and 2SD1252A ■Features ● High forward current transfer ratio hFEwhich has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed c	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1252A	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) For power amplification Complementary to 2SB0929 (2SB929)and 2SB0929A(2SB929A) ■Features ● High forward current transfer ratio hFEwhich has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin	Panasonic 松下	Panasonic
2SD1252_15	NPN Transistors 文件：1.18068 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252A_15	NPN Transistors 文件：1.1782 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252A-P	NPN Transistors 文件：1.1782 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252A-R	NPN Transistors 文件：1.1782 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252-P	NPN Transistors 文件：1.18068 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252-Q	NPN Transistors 文件：1.1782 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252-Q	NPN Transistors 文件：1.18068 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1252-R	NPN Transistors 文件：1.18068 Mbytes Page：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

2SD1252产品属性

类型
描述
型号
2SD1252
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR

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更新时间：2025-10-6 16:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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