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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

DESCRIPTION The 2SD1164-Z is designed for Low Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE = 2 000 to 30 000

NEC

瑞萨

SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SD1164-Z is designed for Low Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE = 2 000 to 30 000

RENESAS

瑞萨

2SD1164K-Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1164K-Z

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR

更新时间:2025-11-25 23:00:02
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