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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SD1001 is designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits.

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瑞萨

NPN Silicon Epitaxial Transistor

■ Features ● High collector saturation voltage. VCE(sat) > 80V ● Complimentary to 2SB800

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NPN Transistors

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2SD1001EL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1001EL

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-89

更新时间:2025-11-20 23:00:02
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