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2SCR583D3	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-emitter breakdown voltage : BVCEO= 50V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 180-450@ (VCE= 3V, IC= 1A) ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.35V(Max)@ (IC= 3A, IB= 0.15A) ·Complement to Type 2SAR583D3 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and rel	ISC 无锡固电	ISC
2SCR583D3	NPN 7A 50V Power Transistor 文件：1.74305 Mbytes Page：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR583D3FRA	NPN 7A 50V Power Transistor Features 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types : 2SAR583D3 FRA. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.).　(IC/IB=3A/150mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR583D3FRA	PNP, TO-252 (DPAK), 50V 7A, 车载用功率晶体管 (符合AEC-Q101标准)	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR583D3FRATL	封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, POWE 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR583D3TL1	封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：散装描述：TRANS NPN 50V 7A TO252 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ROHM 罗姆	ROHM

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更新时间：2025-12-25 13:01:00

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深圳市润联芯城科技有限公司	2SCR586D3TL1	ROHM	23+	TO-252-3 (DPAK) (SC-63)	50000	原装正品支持实单	询价
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