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2SCR583D3中文资料

厂家型号

2SCR583D3

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SCR583D3数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-emitter breakdown voltage

: BVCEO= 50V(Min)

·High DC Current Gain

: hFE= 180-450@ (VCE= 3V, IC= 1A)

·Low Saturation Voltage

: VCE(sat)= 0.35V(Max)@ (IC= 3A, IB= 0.15A)

·Complement to Type 2SAR583D3

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

更新时间:2026-7-30 12:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
2511
TO-252
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ROHM/罗姆
24+
TO-252
360000
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
TOSHIBA/东芝
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TO-220F
1900
原厂代理 终端免费提供样品
TOSHIBA/东芝
20+
TO-220F
1900
现货很近!原厂很远!只做原装
POWER
20+
IGBT-Driver
31000
POWER原装主营型号-可开原型号增税票
CONCEPT
26+
IGBT
8880
原装认准芯泽盛世!
CONCEPT
26+
IGBT
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
CONCEPT
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
CONCEPT
2023+
module
48000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
POWER
22+
IGBT驱动器
20000
公司只有原装 品质保证