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2SC607晶体管资料

  • 2SC607别名：2SC607三极管、2SC607晶体管、2SC607晶体三极管

  • 2SC607生产厂家：日本日立公司

  • 2SC607制作材料：Si-NPN

  • 2SC607性质：射频/高频放大 （HF）_TR_输出极 （E）

  • 2SC607封装形式：直插封装

  • 2SC607极限工作电压：75V

  • 2SC607最大电流允许值：0.6A

  • 2SC607最大工作频率：70MHZ

  • 2SC607引脚数：3

  • 2SC607最大耗散功率：1W

  • 2SC607放大倍数：

  • 2SC607图片代号：C-40

  • 2SC607vtest：75

  • 2SC607htest：70000000

  • 2SC607atest：0.6

  • 2SC607wtest：1

  • 2SC607代换 2SC607用什么型号代替：BC140,BC141,BC300,BC301,BC302,BFX96A,BFX97A,BSW53,BSW54,2SC959,3DA103B,

2SC607价格

参考价格：￥1.7479

型号：2SC6076(TE16L1,NV) 品牌：Toshiba Semiconductor an 备注：这里有2SC607多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC607批发/采购报价，2SC607行情走势销售排行榜，2SC607报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC607

PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

Audio Frequency Amplifier

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC6071

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

High-Current Switching Applications Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching.

SANYO

三洋

2SC6071

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC6071

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC6071-251

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC6071-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

ISC

无锡固电

2SC6072

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6075

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6075

Silicon NPN Epitaxial Type

Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)

TOSHIBA

东芝

2SC6076

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ.)

TOSHIBA

东芝

2SC6076

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6076

Power transistor for high-speed switching applications

Polarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 3 A \nCollector Current ICP 5 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector-Base Voltage VCBO 160 V \nCollector-emitter voltage VCEO 80 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC6077

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） • High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)

TOSHIBA

东芝

2SC6077

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6078

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6078

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） • High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)

TOSHIBA

东芝

2SC6078

Power transistor for high-speed switching applications

Polarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC 3 A \nCollector Current ICP 5 A \nCollector power dissipation PC 1.8 W \nCollector-Base Voltage VCBO 160 V \nCollector-emitter voltage VCEO 80 V ;

TOSHIBA

东芝

2SC6079

Silicon NPN Epitaxial Type

Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)

TOSHIBA

东芝

2SC6079

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6075

Silicon NPN Epitaxial Type

TOSHIBA

东芝

2SC6076(TE16L1,NV)

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC607产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    NPN

  • Features：

    Low Satulation Voltage

  • VCEO(Max)(V)：

    80

  • IC(Max)(A)：

    3

  • hFE(Min)：

    180

  • hFE(Max)：

    450

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    0.3

  • fT(Typ.)(MHz)：

    150

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    New PW-Mold

  • Width×Length×Height(mm)：

    6.5 x 9.5 x 2.3

2SC607供应商更多...

更新时间：2026-5-14 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市盈慧通电子有限公司
2SC6076
TOSHIBA/东芝
2511
TO-252
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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深圳市科芯源微电子有限公司
2SC6072(Q)
TOSHIBA/东芝
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
2SC6076
TOSHIBA
26+
QFN
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深圳市凌旭科技有限公司
2SC6076
TOSHIBA
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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深圳市诺美思科技有限公司
2SC6076(TE16L.NV)
TOSHIBA
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深圳市宇创芯科技有限公司
2SC6072(Q)
TOSHIBA/东芝
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2SC6075
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TO-220F
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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深圳市纳立科技有限公司
2SC6071-TL-E
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1983
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现代芯城（深圳）科技有限公司
2SC6076(TE16L1,NV)
26+
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53000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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