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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC6077

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)( IC = 1A) • High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)

TOSHIBA

东芝

2SC6077

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SC6077产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC6077

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

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