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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC6078 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） • High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ) | TOSHIBA 东芝 |   | |
2SC6078 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | |
2SC6078 | Power transistor for high-speed switching applications | TOSHIBA 东芝 | |
2SC6078产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SC6078
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
2026+ |
TO220F |
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2018-12-19
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