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2SC5752-A

封装/外壳:SC-82A,SOT-343 包装:托盘 描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

California Eastern Labs

CEL

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW)4-PINSUPERMINIMOLD

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW)4-PINSUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=18.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=7dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliabilitythroughuseofgol

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW)4-PINSUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=18.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=7dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliabilitythroughuseofgol

CEL

California Eastern Labs

CEL

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW) 4-PINSUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=18.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=7dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliabilitythroughuseof

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-7-16 15:17:00
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NEC
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