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Ultrahigh-DefinitionCRTDisplayHorizontalDeflectionOutputApplications

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplay HorizontalDeflectionOutputApplications Features •Highspeed. •Highbreakdownvoltage(VCBO=1500V). •Highreliability(AdoptionofHVPprocess). •AdoptionofMBITprocess.

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=800V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):3.0V(Max)@IC=10.8A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,highspeedswitchingand regulatedpowersupplyapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-15 11:08:01
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