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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FEATURE • High fT 17 GHz TYP. • High gain |S21e|2 = 15.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 7 mA • NF = 1.1 dB, @f = 2 GHz VCE = 2 V, IC = 1 mA • 6-pin Small Mini Mold Package

NEC

瑞萨

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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